在光電子學(xué)及其它高技術(shù)的發(fā)展中法治力量，薄膜材料占有重要的地位。鐵電薄膜具有電光效應(yīng)分享、非線性光學(xué)效應(yīng)共享、壓電效應(yīng)和熱釋電效應(yīng)等多種特性，又具有便于平面化和集成化的特點(diǎn)方式之一，因而特別受到人們的重視∩鷦?，F(xiàn)在廣為研究的鐵電薄膜是PbTiO₃(PT）、Pb_1-xLaTi_1-x/4 O₃(PLT)創新能力、PZT新品技、PLZT、LiNbO_{3求得平衡、}Bi₄Ti₃O₁₂和BaTiO_{3紮實做。}制備方法有電子束蒸鍍、離子束濺射至關重要、射頻磁控濺射提供深度撮合服務、射頻二極濺射、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積和金屬有機(jī)熱分解法等的發生。

   為了充分發(fā)掘鐵電薄膜的功能組成部分，希望薄膜是單晶或是晶粒擇優(yōu)取向的多晶。迄今報(bào)道的是后者新的動力。實(shí)現(xiàn)擇優(yōu)取向的方法主要是采用特定成分和特定取向的單晶作為基片的過程中，并選擇適當(dāng)?shù)幕瑴囟然蜉o之以隨后的熱處理。例如廣泛認同，以MgO(100）片作為基片國際要求，用射頻磁控濺射制備PbZr_0.4Ti_0.6O₃薄膜，在適當(dāng)?shù)臏囟认洛懺?，可使[001]軸垂直膜面的取向度達(dá)99%競爭激烈。MgO（100)片也可使PT和PLT膜具有[001]軸重直膜面的擇優(yōu)取向。藍(lán)寶石和某些微晶玻璃也是制成擇優(yōu)取向的基片材料改善。

   鐵電薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能正隨著制備技術(shù)的改進(jìn)而不斷提高空白區。高度擇優(yōu)取向的薄膜已具有接近優(yōu)質(zhì)體材料的自發(fā)極化和熱釋電系數(shù)，但矯頑場(chǎng)較大信息化，光的傳播損耗較嚴(yán)重形勢。已經(jīng)和還在研制的器件有熱釋電探測(cè)器、超聲傳感器平臺建設、記憶元件服務機製、光波導(dǎo)、聲表面波器件、二次諧波發(fā)生器等大幅拓展。