將鐵電材料應用于存儲器等特點，是利用了鐵電材料本身的極化特性建言直達，詳細的說，是利用的鐵電材料在外加電場下具有極化的特性將進一步，利用正向極化到Psat和反向極化到-Psat 的相反特性可以分別存儲‘0’和‘1’充分發揮。并且由于在撤除外部電場后，其極化強度會得到一定程度的保留（即剩余極化強度Pr）成就，使得鐵電存儲器擁有非易失的存儲特性重要方式。

而具體的將鐵電材料用于存儲器的方法則是先將鐵電材料制備成為鐵電薄膜，再將鐵電薄膜制備成為鐵電電容系統，通過將鐵電電容的上下極板分別接通不同的電壓非常重要，便可將電容中間的鐵電薄膜極化，從而達到存儲信息的目的空間廣闊，可以說營造一處，鐵電電容就是鐵電存儲器的重要的部分。

一般來說知識和技能，在芯片制備工藝中取得顯著成效，我們采用金屬-鐵電材料-金屬的三層薄膜結(jié)構(gòu)組成 MFM 型鐵電電容，如圖2-2(a)所示實現，兩層金屬層為鐵電電容的上下極板不容忽視，外部電路可以通過給上下兩個極板施加電壓來將中間的鐵電材料極化。

但是，有時為了獲得良好的電容特性說服力，獲取小的漏電流和穩(wěn)定的界面狀態(tài)等服務為一體，MFM 結(jié)構(gòu)型鐵電電容可能就不是*好的選擇，于是便有了針對該類型鐵電電容的改進逐漸顯現，比如向鐵電電容中間加入絕緣材料全會精神，如 Al2O3 等，于是就產(chǎn)生了如圖2-2(b~d)所示的幾種其他類型的電容結(jié)構(gòu)拓展基地。其中 MFIM 型電容是在下層金屬極板和鐵電層之間加入一層絕緣層集中展示，而MFIFM型電容則是將中間的鐵電層一分為二，再在兩層鐵電層之間加入一層絕緣層體系流動性。而為了增加鐵電材料在半導體工藝中的集成度探索創新，一些學者拋棄鐵電電容的設(shè)計轉(zhuǎn)而?出鐵電柵場效應晶體管。具體來說就是將場效應晶體管的柵極電介材料換為鐵電材料方式之一，這種晶體管的柵極和溝道之間的結(jié)構(gòu)構(gòu)成 MFIS 型結(jié)構(gòu)生動，即金屬-鐵電材料-絕緣層-半導體襯底的機構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)的目的是直接讓鐵電材料的極化狀態(tài)影響半導體襯底中載流子狀態(tài)創新能力。

由于鐵電電容在存儲器中承擔存儲信息的作用新品技，所以鐵電電容必然是鐵電存儲器的核心所在，鐵電電容本身的特性可以影響鐵電存儲器的特性求得平衡。而鐵電電容的特性主要有以下幾個因素所決定：鐵電電容面積紮實做、鐵電薄膜厚度、鐵電材料的種類以及金屬極板的材料等至關重要。其中鐵電電容面積直接影響鐵電電容的飽和極化強度提供深度撮合服務，也就是影響了鐵電電容在極化時所釋放出的電荷量，在本文后面的討論中即可得知的發生，釋放出的電荷量的多少將直接影響存儲陣列結(jié)構(gòu)設(shè)計以及靈敏放大器設(shè)計等等組成部分。而鐵電薄膜厚度、鐵電材料的種類同樣決定鐵電電容的大極化強度新的動力，但是他們也同時影響鐵電材料的飽和極化電壓 Vsat的過程中，這也將影響板線驅(qū)動電路和靈敏放大器的設(shè)計。而金屬極板的材料則會影響鐵電材料與半導體工藝的匹配程度廣泛認同。一般來說國際要求，我們在鐵電存儲器的設(shè)計之初就應該將上述幾種因素確定，然后通過電路設(shè)計來對鐵電電容進行匹配鍛造，而本文的鐵電存儲器及其讀寫電路設(shè)計便是遵循以上思路，先確定鐵電材料持續創新，再進行設(shè)計改善。